- 品牌：
-
- ROHM Semiconductor (47)
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
76 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 17... |
1 | 1,997 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 3,293 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 95... |
1 | 356 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 72... |
1 | 994 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 3,059 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 903 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 578 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 891 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 72... |
1 | 714 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 24... |
1 | 168 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 190 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 142 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 160 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 |
