- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 95A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
