- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | 750V/18MOHM, N-OFF S... |
1 | 898 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/60MOHM, N-OFF S... |
1 | 722 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/44MOHM, N-OFF S... |
1 | 141 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/23MOHM, N-OFF S... |
1 | 535 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/9MOHM, N-OFF SI... |
1 | 655 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/11MOHM, N-OFF S... |
1 | 13 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/33MOHM, N-OFF S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | AUTOMOTIVE PG-HD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | RH MOSFET _ U3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 100V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 100V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 200V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
