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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
750 V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
104A(Tc)
(1)
106A(Tc)
(1)
17A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
11.5 毫欧 @ 70A,12V
(1)
14.2 毫欧 @ 60A,12V
(1)
180毫欧 @ 5A,12V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
25.7 nC @ 12 V
(1)
75 nC @ 15 V
(2)
Vgs(最大值):
±20V
(2)
±25V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
3245 pF @ 400 V
(1)
3340 pF @ 400 V
(1)
738 pF @ 100 V
(1)
功率耗散(最大值):
136W(Tc)
(1)
357W(Tc)
(1)
375W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 5.5V @ 10mA
供应商器件封装 : D2PAK-7
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3C120150B7S
UnitedSiC
1200V/150MOHM, SIC, F...
1
556
加入询价
UJ4SC075009B7S
UnitedSiC
750V/9MOHM, N-OFF SI...
1
655
加入询价
UJ4SC075011B7S
UnitedSiC
750V/11MOHM, N-OFF S...
1
13
加入询价
UF3C120150B7S
UnitedSiC
-
库存 : 556
询价
UJ4SC075009B7S
UnitedSiC
-
库存 : 655
询价
UJ4SC075011B7S
UnitedSiC
-
库存 : 13
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