供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI3415B-TP Micro Commercial Components (MCC)
P-CHANNEL MOSFET...
1 4,629 加入询价
G3404B Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<22M@10V,...
1 9,000 加入询价
3400 Goford Semiconductor
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1 2,926 加入询价
3400L Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<27M@10V,...
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