- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 500V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 300V 76A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET 700V 35A TO24... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | P CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1.2KV D... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
