- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 27,208 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F VESM S-MOS (L... |
1 | 7,950 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW ON RESI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMALL LOW RON PCH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
