FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI8824EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A...
1 35,258 加入询价
SI8812DB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4MI...
1 3,000 加入询价
SI8802DB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 8V 4MI...
1 275 加入询价
SI8805EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 4MI...
1 2,000 加入询价
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