供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 220M...
1 53,657 加入询价
PMV30UN2R Nexperia
MOSFET N-CH 20V 4.2A...
1 22,333 加入询价
RU1C001UNTCL ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 100M...
1 14,827 加入询价
PMV30UN2VL Nexperia
MOSFET N-CH 20V 5.4A...
1 2,000 加入询价
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