- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
