- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 220M... |
1 | 53,657 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 510M... |
1 | 63,217 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 8V 2.7A... |
1 | 66,882 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 230M... |
1 | 223,874 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 600M... |
1 | 41,399 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 250M... |
1 | 1,184,615 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 330M... |
1 | 131,821 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 200M... |
1 | 69,447 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 550M... |
1 | 7,440 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 2.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 600M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
