- 品牌：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 180M... |
1 | 33,149 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | DIODE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 20V 44.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Central Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
