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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
20 V
(1)
30 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
1.2A(Ta)
(1)
900mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
320 毫欧 @ 1.2A,4.5V
(1)
470 毫欧 @ 900mA,4.5V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
1.3 nC @ 4.5 V
(1)
1.4 nC @ 4.5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
41 pF @ 15 V
(1)
46 pF @ 10 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 1.5V,4.5V
功率耗散(最大值) : 350mW(Ta),5.43W(Tc)
供应商器件封装 : DFN1006B-3
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMZB290UNE2YL
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 1.2A...
1
21,119
加入询价
PMZB390UNEYL
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 900M...
1
33,572
加入询价
PMZB290UNE2YL
Nexperia
-
库存 : 21,119
询价
PMZB390UNEYL
Nexperia
-
库存 : 33,572
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