- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.9A... |
1 | 82,821 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 14,654 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 6,248 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | N-CH MOSFET 20V, +/-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 8V~24V SOT32... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
