- 封装/外壳:
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
13 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 329,003 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 4,561 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 26,196 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS P-CH VDSS:-30V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 1 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 16 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | P-CH MOSFET -30V, -2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |