- 品牌:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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15 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.3A... |
1 | 21,305 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.3A... |
1 | 258,079 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 4.3A... |
1 | 49,130 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 4.3A... |
1 | 23,805 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 4.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N CH 5.1A U-... |
1 | 2,000 | 加入询价 |