- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N20V, 6A,RD<27M@4.5V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V... |
1 | 8,339 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V... |
1 | 11,959 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 8,379 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V... |
1 | 9,496 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<13M@4.5V... |
1 | 4,624 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<12M@4.5V... |
1 | 2,994 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4... |
1 | 3,743 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
