- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 8,225 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A... |
1 | 17,465 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A... |
1 | 4,659 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 887 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 150... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
