漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A...
1 8,002 加入询价
IRF60R217 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A...
1 1,670 加入询价
IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A...
1 1 加入询价
IPI126N10N3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A...
1 2,000 加入询价
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