- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
1 | 16,318 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 37,457 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A... |
1 | 20,820 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A... |
1 | 8,853 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 5,107 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 56A... |
1 | 19,540 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 73A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A... |
1 | 3,536 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A... |
1 | 2,494 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A... |
1 | 2,350 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 |