- 品牌：
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- Texas Instruments (10)
- ON Semiconductor (24)
- PANJIT (1)
- 工作温度：
-
- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
145 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 60V 18A... |
1 | 965 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5A... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 7... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 983 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 435 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 543 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 9A/... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 407 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 946 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 3... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 966 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 10 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 150... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
