FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQJ431EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A...
1 2,000 加入询价
SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 200V 9.4...
1 2,000 加入询价
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A...
1 2,000 加入询价
SQJ456EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A...
1 2,000 加入询价
SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
P-CHANNEL 200-V (D-S...
1 2,000 加入询价
SQJ431EP-T2_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A...
1 2,000 加入询价
SQJ456EP-T2_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A...
1 2,000 加入询价
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