供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G40P03D5 Goford Semiconductor
P-30V,-35A,RD(MAX)<10M...
1 5,000 加入询价
G50N03J Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<7M@10V,R...
1 4,315 加入询价
GT060N04T Goford Semiconductor
MOSFET, N-CH, 40V,60...
1 229 加入询价
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