漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQJA72EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 37A...
1 2,000 加入询价
SQJA72EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S...
1 2,000 加入询价
BSP603S2LHUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A...
1 2,000 加入询价
SPD30N06S2L-23 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A...
1 2,000 加入询价
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