- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<850M@10V... |
1 | 5,894 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V... |
1 | 699 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,V... |
1 | 1,000 | 加入询价 |
