- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 8,919 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 30V 6A ... |
1 | 98,173 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 30V 6A ... |
1 | 99,874 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 5,650 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -60V -0.21A, SOT-3... |
1 | 5,801 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 230M... |
1 | 1,306 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | PCH -60V -0.23A, SOT-2... |
1 | 8,596 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
