- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
11 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<4.5M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<6M@10V,R... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N40V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 92 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<13M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<9M@10V,R... |
1 | 65 | 加入询价 |