- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-25A,RD(MAX)<70M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<96M@-10V... |
1 | 7,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, RD(MAX)<30M@10V... |
1 | 7,870 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,15A,RD(MAX... |
1 | 10,198 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 3A,RD<80M@10V,VT... |
1 | 2,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M... |
1 | 4,960 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-5A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,475 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<2.7M@10V... |
1 | 9,935 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 12,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8M@10V,R... |
1 | 96 | 加入询价 |
