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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
30 V
(1)
60 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
300mA(Ta)
(1)
520mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
2.5 欧姆 @ 160mA,10V
(1)
900 毫欧 @ 280mA,10V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1.9V @ 1mA
(1)
1V @ 1mA(最小)
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
2.9 nC @ 10 V
(1)
3 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
70 pF @ 48 V
(1)
80 pF @ 24 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 4.5V,10V
供应商器件封装 : TO-236AB
功率耗散(最大值) : 417mW(Ta)
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BSH202,215
Nexperia
MOSFET P-CH 30V 520M...
1
22,549
加入询价
BSH201,215
Nexperia
MOSFET P-CH 60V 300M...
1
23,205
加入询价
BSH202,215
Nexperia
-
库存 : 22,549
询价
BSH201,215
Nexperia
-
库存 : 23,205
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