- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.17... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 680... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.17... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 680... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 170... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
