- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N190V, 3A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,439 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 21A,RD<9.5M@10V,... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,933 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<22M@-10V... |
1 | 3,845 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,790 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 12,405 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 3A,RD<80M@10V,VT... |
1 | 2,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<11M@10V... |
1 | 14,871 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 2,802 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH,100V, 2... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, RD(MAX)<10.5M@1... |
1 | 3,975 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,-30A,RD(MAX)<16M... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M... |
1 | 4,960 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-5A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,475 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,-4A,RD(MAX)<200... |
1 | 1,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,315 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 |
