- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<85M@-10V... |
1 | 13,070 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,-8A,RD(MAX)<25M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<850M@10V... |
1 | 5,894 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<23M@-10V... |
1 | 6,677 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 13A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,999 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD<0.7@1... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V, -20A,RD<18M@-10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-25A,RD(MAX)<70M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<96M@-10V... |
1 | 7,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, RD(MAX)<30M@10V... |
1 | 7,870 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 7A,RD<140M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 25A,RD<15M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,15A,RD(MAX... |
1 | 10,198 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V, 3.5A,RD<200M@-10... |
1 | 4,000 | 加入询价 |
