- 品牌：
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- YANGJIE (1)
- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Micro Commercial Components (MCC) | P-CHANNEL MOSFET... |
1 | 4,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,930 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | P-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
