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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
597 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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|
Littelfuse | DISCRETE MOSFET ... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S... |
1 | 2,990 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 237 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .010O... |
1 | 2,870 | 加入询价 | |
|
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | |
|
|
SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 247 | 加入询价 | |
|
|
SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
|
|
EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 |
