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- 安装类型：
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- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
630 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | DESC: MOSFET N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCHFET 60V N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | PLANAR >= 100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Littelfuse | IXFP14N55X2M |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | IXFP14N55X2 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
