- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
502 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | MOSFET 70A 650V X3 T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | DISC MSFT NCHTRE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | - |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET P-CH 600V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Goford Semiconductor | P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-4A,RD(MAX)<110M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
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YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,-16A,RD(MAX)<17M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | N/P30V,6.5A/-5A,RD(MA... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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|
YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P-60V,-12A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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|
Goford Semiconductor | P-60V,-8A,RD(MAX)<23M... |
1 | 4,000 | 加入询价 |
