- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (10)
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (9)
- ON Semiconductor (44)
- NXP Semiconductors (18)
- Littelfuse (13)
- Microsemi (1)
- PANJIT (1)
- YANGJIE (4)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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183 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | DESC: MOSFET N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V) |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
