- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (30)
- Infineon Technologies (153)
- Intersil(瑞萨电子公司) (9)
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- STMicroelectronics (19)
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- 安装类型:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
616 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | T6 60V NCH LL IN U8F... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
PANJIT | 100V/ 5MOHM/ LOW FOM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | AUTOMOTIVE-GRADE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 500V 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET 1200V 25A TO-... |
1 | 7 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET 90A 650V X3 T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |