- 封装/外壳:
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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10 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.1A... |
1 | 40,143 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A... |
1 | 16,228 | 加入询价 | ||
YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 4.1A... |
1 | 2,578 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 4.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 4.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 80V 4.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 4.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 4.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |