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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
43 毫欧 @ 5.1A,10V
(1)
72 毫欧 @ 3.9A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
10 nC @ 10 V
(1)
5 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
157 pF @ 15 V
(1)
271 pF @ 15 V
(1)
功率耗散(最大值):
1.9W(Ta)
(1)
3.3W(Ta)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 5.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 4.5V,10V
供应商器件封装 : DFN2020MD-6
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMPB100ENEX
Nexperia
MOSFET DFN2020MD-6
1
2,000
加入询价
PMPB50ENEAX
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 5.1A...
1
2,000
加入询价
PMPB100ENEX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PMPB50ENEAX
Nexperia
-
库存 : 2,000
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