- 品牌：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 1,671 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-CH 16V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 20V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
