- 供应商器件封装：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 400M... |
1 | 77,680 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS LOW RON NCH ... |
1 | 5,950 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 3,044 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS LOW RON VDS:... |
1 | 2,358 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 400M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS NCH I: 0.4A, V:... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
