供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMP2160U-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.2A...
1 149,370 加入询价
NTR4501NST1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A...
1 1,635 加入询价
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 30V 3.2A...
1 2,000 加入询价
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