- 品牌：
-
- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- ON Semiconductor (7)
- EPC (1)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
25 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 200V 22A... |
1 | 13,204 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 24,516 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 22A... |
1 | 19,183 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 4,233 | 加入询价 | |
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|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 20V 22A... |
1 | 4,536 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 1,746 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 2,425 | 加入询价 | |
|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 15 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 55V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
