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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
品牌:
EPC
(2)
Vishay / Siliconix
(1)
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收起
工作温度:
-
(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
(1)
模具
(2)
供应商器件封装:
D²PAK(TO-263)
(1)
模具
(2)
技术:
GaNFET(氮化镓)
(2)
MOSFET(金属氧化物)
(1)
漏源电压(Vdss):
200 V
(1)
40 V
(1)
60 V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
(1)
2.4 毫欧 @ 30A,5V
(1)
2.6 毫欧 @ 30A,5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
(1)
2.5V @ 15mA
(1)
2.5V @ 16mA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
(1)
17 nC @ 5 V
(1)
18 nC @ 5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
(1)
1800 pF @ 300 V
(1)
1900 pF @ 20 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 31A(Ta)
Vgs(最大值) : -
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
EPC2031
EPC
GANFET NCH 60V 31A ...
1
16,703
加入询价
EPC2030
EPC
GANFET NCH 40V 31A ...
1
4,269
加入询价
IRFL31N20D
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A...
1
2,000
加入询价
EPC2031
EPC
-
库存 : 16,703
询价
EPC2030
EPC
-
库存 : 4,269
询价
IRFL31N20D
Vishay / Siliconix
-
库存 : 2,000
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