- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (18)
- Intersil(瑞萨电子公司) (7)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (20)
- Panasonic (1)
- EPC (3)
- PANJIT (8)
- ROHM Semiconductor (29)
- UMW (2)
- Vishay / Siliconix (16)
- YANGJIE (1)
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
- 功率耗散(最大值):
-
169 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 44,449 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 10A... |
1 | 57,394 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 306,683 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 25,201 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 40V 10A... |
1 | 227,784 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A... |
1 | 31,335 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 56,842 | 加入询价 | ||
EPC | GANFET N-CH 80V 10A... |
1 | 29,203 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 10A... |
1 | 7,392 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 9,603 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 15,853 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 47,785 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 33,549 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 35,990 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 125,490 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 8V 10A ... |
1 | 21,039 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 10A... |
1 | 22,228 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 11,485 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 10A ... |
1 | 53,208 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A... |
1 | 3,000 | 加入询价 |