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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
品牌:
Nexperia
(2)
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
(1)
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工作温度:
-
(1)
-55°C ~ 150°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
6-UDFN 裸露焊盘
(2)
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
(1)
供应商器件封装:
8-SOP(5.5x6.0)
(1)
DFN2020M-6
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
10.1 毫欧 @ 6A,10V
(1)
8.6 毫欧 @ 12A,10V
(2)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.2V @ 250µA
(2)
2.3V @ 1mA
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1800 pF @ 10 V
(1)
914 pF @ 15 V
(2)
FET 功能:
-
(2)
肖特基二极管(体)
(1)
功率耗散(最大值):
-
(1)
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 12A(Ta)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 19 nC @ 10 V
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMPB07R3ENAX
Nexperia
SMALL SIGNAL MOS...
1
3,000
加入询价
PMPB07R3ENX
Nexperia
PMPB07R3EN/SOT1220-2...
1
796
加入询价
TPC8A06-H(TE12LQM)
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 30V 12A...
1
2,000
加入询价
PMPB07R3ENAX
Nexperia
-
库存 : 3,000
询价
PMPB07R3ENX
Nexperia
-
库存 : 796
询价
TPC8A06-H(TE12LQM)
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
-
库存 : 2,000
询价
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