- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (14)
- Intersil（瑞萨电子公司） (5)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (32)
- Panasonic (1)
- EPC (2)
- PANJIT (1)
- UMW (1)
- Vishay / Siliconix (13)
- YANGJIE (1)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
-
126 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 18.4... |
1 | 2,080 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 200V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 150V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
