- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 457,208 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 248,770 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 1,433 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 6.8A TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 6.8A TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 6.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
