- 品牌：
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- ON Semiconductor (6)
- YANGJIE (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 100V 2A... |
1 | 640,549 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 2A... |
1 | 1,880 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2A... |
1 | 1,967 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 6,765 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Torex Semiconductor Ltd. | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 100V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 100V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
